Theo SCMP, các nguồn tin trong ngành tiết lộ Trung Quốc đang đẩy mạnh nỗ lực tự cung cấp bán dẫn để đối phó với lệnh trừng phạt từ Mỹ.

Sẽ là cuộc chiến khó khăn để theo kịp các hãng chip nhớ hàng đầu thế giới như SK Hynix, Samsung Electronics và Micron Technology do tác động của các lệnh trừng phạt từ Mỹ, chính phủ Trung Quốc xác định rằng nước này phải tự cung ứng HBM dù có thể mất nhiều năm.

Các nguồn tin trong ngành, những người quen thuộc với vấn đề này nhưng từ chối nêu tên do tính nhạy cảm của chủ đề, cho biết nhà sản xuất bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) hàng đầu của Trung Quốc, ChangXin Memory Technologies (CXMT), là niềm hy vọng lớn nhất của đất nước đối với HBM, nhưng có thể phải mất đến 4 năm mới đưa sản phẩm ra thị trường.

Theo các nguồn tin, nếu quyết định tiếp tục phát triển HBM, CXMT hoặc các nhà sản xuất chip Trung Quốc khác sẽ bị hạn chế sử dụng các công nghệ tiên tiến để có thể sản xuất được chip DRAM mạnh mẽ đang có nhu cầu cao trên toàn thế giới.

Có trụ sở tại thành phố Hợp Phì (Trung Quốc), CXMT được cho đang lên kế hoạch phát hành cổ phiếu lần đầu ra công chúng (IPO) trong năm nay với mức định giá 14,5 tỷ USD.

Được coi là công ty dẫn đầu về công nghệ HBM với 50% thị phần toàn cầu, SK Hynix đã phát triển HBM3 vào tháng 10/2021 và sản xuất hàng loạt hồi tháng 6/2022. Công ty Hàn Quốc lưu ý trong tài liệu quảng cáo của mình rằng công nghệ HBM là "điều kiện tiên quyết cho cấp độ 4 và 5 về tự động hóa lái xe trên ô tô tự hành".

Theo báo cáo của công ty tư vấn công nghệ TrendForce, nhu cầu về chip HBM dự kiến sẽ tăng gần 60% vào năm 2023 vì chúng là giải pháp ưa thích để khắc phục các hạn chế về tốc độ truyền bộ nhớ do hạn chế về băng thông.

Tuần trước, SK Hynix công bố rằng họ đã phát triển thành công HBM3E, thế hệ DRAM cao cấp tiếp theo dành cho các ứng dụng AI và đang cung cấp mẫu cho khách hàng để đánh giá hiệu suất sản phẩm. 

Việc sản xuất hàng loạt dự kiến vào nửa đầu năm 2024, với các khách hàng như các công ty chip AMD và Nvidia của Mỹ được cho là đang xếp hàng cho sản phẩm mới.

Theo TrendForce, Nvidia đã thiết lập một tiêu chuẩn công nghiệp mới bằng cách sử dụng chip HBM để tăng tốc độ truyền dữ liệu giữa các bộ xử lý đồ họa (GPU) và các bộ nhớ xếp chồng lên nhau. Theo Nvidia, GPU H100 nổi tiếng của hãng được trang bị HBM3, cung cấp băng thông bộ nhớ 3 terabyte mỗi giây.

HBM xếp chồng các chip nhớ theo chiều dọc, giống như các tầng trong một tòa nhà chọc trời, giúp rút ngắn khoảng cách mà thông tin phải di chuyển một cách hiệu quả. Các tháp bộ nhớ này kết nối với CPU hoặc GPU thông qua kết nối cực nhanh được gọi là "bộ chuyển đổi".

Ngoài SK Hynix, những công ty hàng đầu về HBM khác là Samsung Electronics (Hàn Quốc) và Micron Technology (Mỹ).

Theo các chuyên gia trong ngành, dù các chip HBM có hiệu suất cao nhưng việc sản xuất chúng không nhất thiết cần đến máy in thạch bản cực tím (EUV) tiên tiến của ASML (Hà Lan), mà Trung Quốc có thể tự sản xuất phiên bản riêng mà không cần thiết bị mới nhất.

Do nhu cầu tích hợp nhiều chip theo chiều dọc nên cần có các công nghệ đóng gói mật độ cao như kỹ thuật xuyên qua silicon (TSV), nhưng Trung Quốc có những công ty tương đối tiên tiến trong lĩnh vực này, chẳng hạn Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

"Tôi sẽ không ngạc nhiên nếu CXMT nỗ lực hết mình trong HMB", giám đốc điều hành của một công ty điều khiển chip nhớ nhận xét. Ông cho biết CXMT có thể tạo ra DRAM ở quy trình 17 đến 19 nanomet, chậm hơn nhiều thế hệ so với các công ty cùng ngành trên toàn cầu ở quy trình dưới 10 nanomet, một cách tương tự như cách Trung Quốc đang sản xuất chip logic 28 nanomet.

(Nguồn: SCMP)